Frontier / 02 · AI SYSTEM

FlashAttention-2/3:把注意力写成 IO 问题

当 FLOPs 不再是瓶颈,注意力算法应该如何围绕 SRAM 与 HBM 重写?

注意力的性能上限由片外带宽和片上复用共同决定,FlashAttention 是用分块重写数据流,而不是近似替代。

解释图注意力的数据路径与片上复用
  1. 01HBMQ / K / V
  2. 02Tile分块读取
  3. 03SRAM块内复用
  4. 04Online softmax增量归一化
  5. 05O一次写回

算法把 Q/K/V 分块搬入 SRAM,在线 softmax 避免写回完整注意力矩阵。

Research notes / 两篇结构

先建立模型,再用实验拆边界

Instrument

Attention Roofline

长序列注意力的算术强度随序列长度上升,但朴素实现仍会产生大量 HBM 往返;FlashAttention 的关键是把可复用块留在片上 SRAM。

打开实验
序列长度4096 tokens单序列 token 数
注意力头数32 每层头数
Head dimension128 K/Q/V 的宽度
峰值算力60 TFLOPS用于估算的芯片峰值

Primary sources / 一手证据

可追溯的起点

  1. · 2023FlashAttention-2: Faster Attention with Better Parallelism and Work PartitioningPAPER
  2. · 2024FlashAttention-3: Fast and Accurate Attention with Asynchrony and Low-precisionPAPER

Cross-domain synthesis

把这个主题放回系统主线

01综合研究综合研究6 分钟

从 HBM 到 MCU:一条内存层级主线

把 KV Cache、FlashAttention、端侧模型与存算一体放进同一张数据移动账本,理解 AI 系统的真正成本。

内存层级KV CacheFlashAttention